Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
IPD80R600P7ATMA1 Infineon
Артикул
Производитель
Спецификация:
MOSFET транзистор IPD80R600P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD80R600P7ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 600 мОм; Id: 8 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 20 нКл.
Цена по запросу
Производитель
Серия
Спецификация:
MOSFET транзистор IPD80R600P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD80R600P7ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 600 мОм; Id: 8 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 20 нКл.
Основные характеристики
Qg
Id
V(br)dss
Полярность
Rds(on)
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Тип монтажа
SMD/SMT
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (1)
Код товара у производителя
WMO12N80M3
Производитель
WayOn
Описание
WMO12N80M3 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 19 нКл
Наличие
277 шт
Цена от
54.81 /шт
WMO12N80M3 WayOn
WMO12N80M3 WayOn
Производитель:
Артикул:
00413247
В упаковке:
2500
Тип упаковки:
Катушка
В наличии
277 шт
от 1 шт
93.21 руб./шт
от 250 шт
71.27 руб./шт
от 2 500 шт
54.81 руб./шт
кратность
от 54.81 /шт