- Артикул: 00425588
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IPP057N08N3 G SP000680810 INF
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPP057N08N3GXKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000680810
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
5.7 мОм
Id
(ток стока)
80 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
80 В
Qg
(заряд затвора)
69 нКл
Размеры
Корпус
TO-220-3
Типоразмер
PG-TO220-3
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
MOSFET транзистор IPP057N08N3GXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPP057N08N3GXKSA1: OptiMOS™ Полярность: N-Channel; Rds(on): 5.7 мОм; Id: 80 А; Корпус: TO-220-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPP057N08N3GXKSA1: OptiMOS™ Полярность: N-Channel; Rds(on): 5.7 мОм; Id: 80 А; Корпус: TO-220-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.