- Артикул: 00425601
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
WML12N80M3 WayOn
Краткое описание
Код товара у производителя: WML12N80M3
Производитель: WayOn
Спецификация
Производитель
WayOn
Код товара производителя
WML12N80M3
Серия
SJ-MOS M3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
0,62 Ом
Qg
(заряд затвора)
19 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
7,2 А
PD@TA=25℃
(Рассеиваемая мощность при TC = 25°C)
86 Вт
VGS
(Напряжение насыщения затвор-исток)
3,5 В
VGS(th)Typ.
(Пороговое напряжение включения транзистора)
30 В
Размеры
Корпус
TO-220F
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet WMx12N80M3 WayOn
Английский язык
pdf
594.3 КБ
WML12N80M3 WayOn
Аналоги
| Infineon | MOSFET транзистор IPA80R460CEXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 460 мОм; Qg: 64 нКл; Корпус: TO-220FP | Под заказ | 91.74 руб./шт. |
|
IPA80R460CEXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R460CEXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 460 мОм; Qg: 64 нКл; Корпус: TO-220FP
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Коробке
от 1 шт.
91.74 руб./шт.
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор IPA80R460CEXKSA2; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 460 мОм; Qg: 64 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IPA80R460CEXKSA2 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R460CEXKSA2; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 460 мОм; Qg: 64 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор IPA70R600P7SXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 600 мОм; Qg: 10,5 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA70R600P7SXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 600 мОм; Qg: 10,5 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор IPA80R600P7XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 600 мОм; Qg: 20 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IPA80R600P7XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R600P7XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 600 мОм; Qg: 20 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента WML12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.