WML12N80M3 WayOn
Артикул
00425601
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: TO-220F; Qg: 19 нКл.
Ключевые параметры компонента WML12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: TO-220F; Qg: 19 нКл.
Читать подробнее
от 1 шт
80.90 руб./шт
от 80.90 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 80.9/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
80.90 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: TO-220F; Qg: 19 нКл.
Ключевые параметры компонента WML12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: TO-220F; Qg: 19 нКл.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (4)
|
Код товара у производителя
|
Производитель
|
Описание
|
Наличие
|
Цена от
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
Код товара у производителя
IPA80R460CEXKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IPA80R460CEXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 460 мОм; Корпус: TO-220FP; Qg: 64 нКл |
Наличие
0 шт
|
Цена от
86.86 /шт
|
|
|
В наличии
0 шт
от 1 шт
86.86 руб./шт
от 86.86
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 86.86/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
86.86 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
IPA80R460CEXKSA2
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IPA80R460CEXKSA2 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 460 мОм; Корпус: TO-220AB; Qg: 64 нКл |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IPA70R600P7SXKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 600 мОм; Id: 8.5 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 10.5 нКл |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IPA80R600P7XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IPA80R600P7XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 600 мОм; Id: 8 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 20 нКл |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
