- Артикул: 00383315
- Количество в упаковке: 500
- Стандартная упаковка: Пенал
IPP80R360P7XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Best-in-class FOM R DS(on) * E oss; reduced Q g, C iss and C oss
Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ
Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 360 мОм, 30 нКл, TO-220AB
Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ
Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 360 мОм, 30 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPP80R360P7XKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001633518
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
360 мОм
Qg
(заряд затвора)
30 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
500
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
966.77 КБ
IPP80R360P7XKSA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WMK15N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,36 Ом; Qg: 35 нКл; Id: 15 А; Корпус: TO-220 | В наличии | 98.44 руб./шт. |
|
WMK15N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMK15N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,36 Ом; Qg: 35 нКл; Id: 15 А; Корпус: TO-220
Добавить в избранное
В наличии 2 Штуки
800 Штук в Катушке
от 1 шт.
98.44 руб./шт.
|
|||
| WayOn | MOSFET транзистор WMK13N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 33 нКл; Id: 13 А; Корпус: TO-220 | Под заказ | 94.56 руб./шт. |
|
WMK13N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMK13N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 33 нКл; Id: 13 А; Корпус: TO-220
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
от 1 шт.
94.56 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор IPP80R360P7XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPP80R360P7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 360 мОм; Qg: 30 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPP80R360P7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 360 мОм; Qg: 30 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.