Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
IPW60R017C7XKSA1 Infineon
Артикул
Производитель
Спецификация:
MOSFET транзистор IPW60R017C7XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPW60R017C7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 17 мОм; Id: 109 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 240 нКл.
Цена по запросу
Производитель
Серия
Спецификация:
MOSFET транзистор IPW60R017C7XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPW60R017C7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 17 мОм; Id: 109 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 240 нКл.
Основные характеристики
Qg
Id
V(br)dss
Полярность
Rds(on)
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Тип монтажа
Through Hole
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (1)
Код товара у производителя
WMJ99N60F2
Производитель
WayOn
Описание
WMJ99N60F2 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.0255 Ом; Id: 99 А; Корпус: TO-247; Qg: 174 нКл
Наличие
149 шт
Цена от
513.12 /шт
WMJ99N60F2 WayOn
WMJ99N60F2 WayOn
Производитель:
Артикул:
00446916
В упаковке:
1
Тип упаковки:
Пенал
В наличии
149 шт
от 1 шт
872.29 руб./шт
от 50 шт
667.05 руб./шт
от 100 шт
513.12 руб./шт
кратность
от 513.12 /шт