- Артикул: 00384349
- Количество в упаковке: 4000
- Стандартная упаковка: Катушка
IRFH5250DTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IRFH5250D SP001577928 INF
MOSFET транзистор N with Schottky, 25В, 1.4 мОм, 39 нКл, 40А, PQFN 5 x 6 E/G
MOSFET транзистор N with Schottky, 25В, 1.4 мОм, 39 нКл, 40А, PQFN 5 x 6 E/G
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRFH5250DTRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001577928
Основные характеристики
Полярность
N-Channel with Schottky
Rds(on)
(сопротивление канала)
1.4 мОм
Id
(ток стока)
40 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
25 В
Qg
(заряд затвора)
39 нКл
Размеры
Корпус
PQFN 5 x 6 E/G
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
4000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
317.53 КБ
MOSFET транзистор IRFH5250DTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRFH5250DTRPBF: Полярность: N-Channel with Schottky; Rds(on): 1.4 мОм; Id: 40 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E/G.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFH5250DTRPBF: Полярность: N-Channel with Schottky; Rds(on): 1.4 мОм; Id: 40 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E/G.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.