- Артикул: 00384350
- Количество в упаковке: 4000
- Стандартная упаковка: Катушка
IRL80HS120 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Lowest FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching
Logic level compatibility
Tiny PQFN 2x2mm package
MOSFET транзистор N-Channel, 80В, 32 мОм, 4.7 нКл, PQFN 2 X 2
Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching
Logic level compatibility
Tiny PQFN 2x2mm package
MOSFET транзистор N-Channel, 80В, 32 мОм, 4.7 нКл, PQFN 2 X 2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRL80HS120
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001592838
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
80 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
32 мОм
Qg
(заряд затвора)
4,7 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
PQFN 2 X 2
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
4000
MOSFET транзистор IRL80HS120, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRL80HS120: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 32 мОм; Qg: 4,7 нКл; Корпус: PQFN 2 X 2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRL80HS120: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 32 мОм; Qg: 4,7 нКл; Корпус: PQFN 2 X 2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.