- Артикул: 00429551
- Количество в упаковке: 800
- Стандартная упаковка: Катушка
WMK10N80M3 WayOn
Краткое описание
Код товара у производителя: WMK10N80M3
Производитель: WayOn
Спецификация
Производитель
WayOn
Код товара производителя
WMK10N80M3
Серия
SJ-MOS M3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1,03 Ом
Qg
(заряд затвора)
30 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
10 А
PD@TA=25℃
(Рассеиваемая мощность при TC = 25°C)
85 Вт
VGS
(Напряжение насыщения затвор-исток)
3,3 В
VGS(th)Typ.
(Пороговое напряжение включения транзистора)
30 В
Размеры
Корпус
TO-220
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
800
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
592.99 КБ
WMK10N80M3 WayOn
Аналоги
| Infineon | MOSFET транзистор SPP06N80C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
SPP06N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор SPP06N80C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор IPP90R800C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 800 мОм; Qg: 42 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 111.84 руб./шт. |
|
IPP90R800C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPP90R800C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 800 мОм; Qg: 42 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
119.83 руб./шт.
от 500 шт.
111.84 руб./шт.
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор IPP80R900P7XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 15 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IPP80R900P7XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPP80R900P7XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 15 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Пенале
|
|||
MOSFET транзистор WMK10N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WMK10N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 30 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента WMK10N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 30 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.