- Артикул: 00296587
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Пенал
SPP06N80C3XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low specific on-state resistance
(R on*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 900 мОм, 31 нКл, TO-220AB
(R on*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 900 мОм, 31 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SPP06N80C3XKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000683154
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
900 мОм
Qg
(заряд затвора)
31 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
445.17 КБ
SPP06N80C3XKSA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WML10N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 13,9 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220F | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
WML10N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WML10N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 13,9 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220F
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
| WayOn | MOSFET транзистор WMK10N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 30 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220 | Под заказ | 94.07 руб./шт. |
|
WMK10N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMK10N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 30 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Катушке
от 1 шт.
94.07 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор SPP06N80C3XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SPP06N80C3XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SPP06N80C3XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.