Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

WML10N80M3 WayOn

Краткое описание

Код товара у производителя: WML10N80M3 Производитель: WayOn
WML10N80M3 WayOn
  • Артикул: 00422130
  • Количество в упаковке: 50
  • Стандартная упаковка: Пенал

Спецификация

Производитель WayOn
Код товара производителя WML10N80M3
Серия SJ-MOS M3
Наименование класса номенклатуры MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 800 В
Rds(on) (сопротивление канала) 1,03 Ом
Qg (заряд затвора) 13,9 нКл
Id (ток стока при 25°C) 10 А
PD@TA=25℃ (Рассеиваемая мощность при TC = 25°C) 85 Вт
VGS (Напряжение насыщения затвор-исток) 3,3 В
VGS(th)Typ. (Пороговое напряжение включения транзистора) 30 В
Размеры
Корпус TO-220F
Упаковка
Упаковка (стандартная) Пенал
Количество в упаковке 50

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
50 Штук в Пенале

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
WML10N80M3 WayOn

Аналоги

Код товара у производителя
SPP06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XKSA1
IPA80R1K0CEXKSA1
IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA70R900P7SXKSA1
Производитель
Описание
Наличие
Цена от
Infineon MOSFET транзистор SPP06N80C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB Под заказ 0 руб./шт.
SPP06N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор SPP06N80C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
Infineon MOSFET транзистор SPA06N80C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 27 нКл; Корпус: TO-220AB Под заказ 0 руб./шт.
SPA06N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор SPA06N80C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 27 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon MOSFET транзистор IPA80R1K0CEXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220FP Под заказ 56.72 руб./шт.
IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R1K0CEXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220FP
Добавить в избранное
Под заказ 500 Штук в Пенале
от 1 шт. 56.72 руб./шт.
Infineon MOSFET транзистор IPA80R1K0CEXKSA2; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB Под заказ 0 руб./шт.
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R1K0CEXKSA2; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 31 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 50 Штук в Пенале
Infineon MOSFET транзистор IPA80R900P7XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 15 нКл; Корпус: TO-220AB Под заказ 0 руб./шт.
IPA80R900P7XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R900P7XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 15 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 500 Штук в Пенале
Infineon MOSFET транзистор IPA70R900P7SXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 6,8 нКл; Корпус: TO-220AB Под заказ 0 руб./шт.
IPA70R900P7SXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA70R900P7SXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 900 мОм; Qg: 6,8 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 50 Штук в Пенале
MOSFET транзистор WML10N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML10N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,03 Ом; Qg: 13,9 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO-220F.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.