Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

WML10N80M3 WayOn

Краткое описание

Код товара у производителя: WML10N80M3 Производитель: WayOn
WML10N80M3 WayOn
  • Артикул: 00422130
  • Количество в упаковке: 50
  • Стандартная упаковка: Пенал

Спецификация

MOSFET транзистор WAYON
Производитель WayOn
Код товара производителя WML10N80M3
Наименование класса номенклатуры MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность N-Channel
Rds(on) (сопротивление канала) 1.03 Ом
Id (ток стока) 10 А
PD@TA=25℃ (рассеиваемая мощность при TC = 25°C) 31 Вт
VGS (напряжение насыщения затвор-исток) 30 В
VGS(th)Typ. (пороговое напряжение включения транзистора) 3.3 В
V(br)dss (напряжение сток-исток) 800 В
Qg (заряд затвора) 13.9 нКл
Размеры
Корпус TO-220F
Типоразмер TO-220F
Упаковка
Упаковка (стандартная) Пенал
Количество в упаковке 50

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


В наличии 10 Штук
50 Штук в Пенале
от 1 шт. 33.70 руб./шт.
- +
33.70 руб.
Добавить в корзину
WML10N80M3 WayOn

Аналоги

Код товара у производителя
SPP06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XKSA1
IPA80R1K0CEXKSA1
IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA70R900P7SXKSA1
Производитель
Описание
Наличие
Цена от
Infineon SPP06N80C3XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB Под заказ -
SPP06N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SPP06N80C3XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
Infineon SPA06N80C3XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB Под заказ -
SPA06N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SPA06N80C3XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Россыпи
Infineon IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 950 мОм; Корпус: TO-220FP Под заказ 49.39 руб./шт.
IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 950 мОм; Корпус: TO-220FP
Добавить в избранное
Под заказ 500 Штук в Пенале
от 1 шт. 49.39 руб./шт.
Infineon IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 950 мОм; Корпус: TO-220AB Под заказ -
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon
Полная карточка товара
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 950 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 50 Штук в Пенале
Infineon IPA80R900P7XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB Под заказ -
IPA80R900P7XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IPA80R900P7XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 500 Штук в Пенале
Infineon IPA70R900P7SXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB Под заказ -
IPA70R900P7SXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IPA70R900P7SXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ 50 Штук в Пенале
MOSFET транзистор WML10N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML10N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; Rds(on): 1.03 Ом; Id: 10 А; Корпус: TO-220F.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.