Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
SISH615ADN-T1-GE3 Vishay
Артикул
Производитель
Спецификация:
Транзисторы SISH615ADN-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SISH615ADN-T1-GE3: Полярность: N-Channel; VBR(DSS): 20 В; I d: 35 А; Q g: 59 нКл; RDS(On): 4.4 мОм.
Цена по запросу
Производитель
Серия
Спецификация:
Транзисторы SISH615ADN-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SISH615ADN-T1-GE3: Полярность: N-Channel; VBR(DSS): 20 В; I d: 35 А; Q g: 59 нКл; RDS(On): 4.4 мОм.
Основные характеристики
I d
VBR(DSS)
Q g
RDS(On)
Полярность
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Тип монтажа
SMD
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.