- Артикул: 00269479
- Количество в упаковке: 10
FF600R12ME4BOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low V(CEsat)
T(vj op) = 150°C
V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
High Power Density
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 600А, 1200В, Dual, EconoDUAL
T(vj op) = 150°C
V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
High Power Density
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 600А, 1200В, Dual, EconoDUAL
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF600R12ME4BOSA1
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000635448
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
600 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
EconoDUAL
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
600.17 КБ
IGBT модуль FF600R12ME4BOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF600R12ME4BOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 600 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: EconoDUAL.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF600R12ME4BOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 600 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: EconoDUAL.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.