- Артикул: 00454223
- Количество в упаковке: 9
- Стандартная упаковка: Коробка
GD650HFX170P1S StarPower
Краткое описание
Код товара у производителя: GD650HFX170P1S
Производитель: StarPower
Спецификация
IGBT модуль GD650HFX170P1S StarPower
Код товара производителя
GD650HFX170P1S
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
650 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
Конфигурация
Half bridge
Количество выводов
10
Технология IGBT
Trench Field Stop
Полярность
Двойной N Канал
Диапазон рабочих температур
-40℃...+150℃
Мощность
4.2 кВт
Размеры
Корпус
P1.0 (172 x 89 мм)
Стиль корпуса
Module
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
9
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet GD650HFX170P1S StarPower
Английский язык
pdf
192.22 КБ
IGBT модуль GD650HFX170P1S, производителя StarPower
Ключевые параметры компонента GD650HFX170P1S: Ic (nom): 650 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Half bridge; Корпус: P1.0 (172 x 89 мм).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя StarPower в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента GD650HFX170P1S: Ic (nom): 650 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Half bridge; Корпус: P1.0 (172 x 89 мм).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя StarPower в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.