PM50CL1B060 |
PM75CL1B060 |
PM100CS1D060 |
PM100CS1D060![]() |
PM150CS1D060 |
PM50RL1A120#350G |
PM75RL1A060#350G |
PM50CS1D060 |
PS21997-AT |
PS22A76 |
PM75RL1A120#350G |
PM75B6LA060 |
MCZ33999EKR2 |
MC33879APEK |
IRAM136-3063B |
IRSM836-045MATR |
IRAMX16UP60A |
PSS15S92F6-AG |
PSS10S92F6-AG |
PSS30S71F6 |
IKCM10H60GAXKMA1 |
PSS35SA2FT |
PSS50SA2FT |
PSS25MC1FT |
IGCM10F60GAXKMA1 |
IKCM10L60GAXKMA1 |
IKCM10B60GAXKMA1 |
PSS25SA2FT |
IRAM256-1567A |
IRAM256-2067A |
IRSM506-076PA |
IGCM04F60GAXKMA1 |
SLIMDIP-S#550 |
SLIMDIP-L |
SLIMDIP-L![]() |
SLIMDIP-S#555 |
PSS35S92F6-AG |
PSS30S92F6-AG |
IM818MCCXKMA1 |
PSS35MC1FT |
IGCM04F60HAXKMA1 |
IGCM04G60HAXKMA1 |
IGCM06F60HAXKMA1 |
IGCM06G60HAXKMA1 |
IGCM10F60HAXKMA1 |
IGCM15F60HAXKMA1 |
IGCM20F60HAXKMA1 |
IKCM10H60HAXKMA1 |
IKCM15H60HAXKMA1 |
IKCM15L60GAXKMA1 |
IKCM15L60HAXKMA1 |
IKCM30F60HAXKMA1 |
IKCM20R60GDXKMA1 |
IFCM20T65GDXKMA1 |
IGCM04G60GAXKMA1 |
IGCM06G60GAXKMA1 |
IKCM15R60GDXKMA1 |
IKCM20L60HAXKMA1 |
IKCM20L60HDXKMA1 |
IKCM30F60HDXKMA1 |
IFCM20U65GDXKMA1 |
IFCM30T65GDXKMA1 |
IFCM30U65GDXKMA1 |
IKCM15F60HAXKMA1 |
IKCM15L60HDXKMA1 |
IFCM15S60GDXKMA1 |
IFCM15P60GDXKMA1 |
IFCM10S60GDXKMA1 |
IFCM10P60GDXKMA1 |
IRSM836-024MA |
IRSM836-044MA |
IRSM836-035MB |
IRSM836-084MA |
IRSM807-045MH |
IRDM982-035MBTR |
IRDM983-025MBTR |
IRSM005-301MHTR |
IRSM836-035MATR |
IRSM836-015MATR |
IRSM808-204MHTR |
IRSM807-105MHTR |
IRSM808-105MHTR |
IRSM836-025MATR |
PSS15SA2FT |
PSS75SA2FT |
PM50RL1C060#300G |
PS22A79 |
IM818SCCXKMA1 |
PM25RG1AP120#300G |
PM75RG1B120#300G |
PM75CL1B120#350G |
PSS15MC1FT |
PM150RL1A120#350G |
PM450CLA120 |
PSS05S51F6 |
PSS50S71F6 |
PSS40S93F6-AG |
IM828XCCXKMA1 |
PS21997-4 |
IM818LCCXKMA1 |
PS22A78-E |
PM25RL1A120#350G |
IRAMY20UP60B |
BTN70301EPAXUMA1 |
PM200CG1C120#310G |
PM100CG1C120#310G |
PM150RG1C120#310G |
TLE4209GXUMA2 |
PM100RG1C120#310G |
IV1B12025HC1L |
IV1B12013HA1L |
IM393X6FPXKLA1 |
MP5981GLU-Z |
Mitsubishi Electric | PM50CL1B060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 50 А | 6-PACK | 120 x 55 | IGBT | В наличии | 7 649.84 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM50CL1B060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM50CL1B060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
В наличии 1 Штука
Поштучная продажа
от 1 шт.
8 828.64 руб./шт.
от 10 шт.
8 238.76 руб./шт.
от 25 шт.
7 649.84 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM75CL1B060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 75 А | 6-PACK | 120 x 55 | IGBT | В наличии | 10 298.44 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM75CL1B060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM75CL1B060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
В наличии 2 Штуки
Поштучная продажа
от 1 шт.
11 028.41 руб./шт.
от 10 шт.
10 298.44 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM100CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 100 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 100 А | 6-PACK | 120 x 50 | IGBT | В наличии | 7 662.67 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM100CS1D060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM100CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 100 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
В наличии 2 Штуки
Поштучная продажа
от 1 шт.
10 046.48 руб./шт.
от 10 шт.
8 229.88 руб./шт.
от 25 шт.
7 662.67 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM100CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 100 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 100 А | 6-PACK | 120 x 50 | IGBT | В наличии | 6 960.37 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM100CS1D060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM100CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 100 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT
В наличии 1 Штука
Поштучная продажа
от 1 шт.
10 046.48 руб./шт.
6 960.37 руб./шт.
![]() |
||||||||
Mitsubishi Electric | PM150CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 150 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 150 А | 6-PACK | 120 x 50 | IGBT | В наличии | 10 570.70 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM150CS1D060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM150CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 150 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
В наличии 1 Штука
Поштучная продажа
от 1 шт.
11 353.93 руб./шт.
от 10 шт.
10 962.31 руб./шт.
от 25 шт.
10 570.70 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM50RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 50 А | 7-PACK | 120 x 55 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM50RL1A120#350G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM50RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
4 Штуки в Коробке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM75RL1A060#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 75 А | 7-PACK | 120 x 55 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM75RL1A060#350G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM75RL1A060#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM50CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 50 А | 6-PACK | 120 x 50 | IGBT | Под заказ | 6 115.93 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM50CS1D060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM50CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
6 411.86 руб./шт.
от 10 шт.
6 115.93 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PS21997-AT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | 6-PACK | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 2 219.50 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PS21997-AT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PS21997-AT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
2 219.50 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PS22A76 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 25 А | 6-PACK | Large | IGBT | Под заказ | 3 985.22 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PS22A76 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PS22A76 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Пенале
от 1 шт.
4 270.30 руб./шт.
от 10 шт.
4 128.25 руб./шт.
от 25 шт.
3 985.22 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM75RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 75 А | 7-PACK | 120 x 55 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM75RL1A120#350G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM75RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM75B6LA060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: H-Bridge +2choppers; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 75 А | H-Bridge +2choppers | 120 x 55 | IGBT | Под заказ | 10 160.34 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM75B6LA060 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM75B6LA060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: H-Bridge +2choppers; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
10 160.34 руб./шт.
|
||||||||
NXP | MCZ33999EKR2 NXP, Интеллектуальные модули, Iс/Io: 900 мА; Конфигурация: Low Side | - | 900 мА | Low Side | - | - | Под заказ | 367.61 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
MCZ33999EKR2 NXP
Полная карточка товара
MCZ33999EKR2 NXP, Интеллектуальные модули, Iс/Io: 900 мА; Конфигурация: Low Side
Добавить в избранное
Под заказ
1000 Штук в Катушке
от 1 шт.
367.61 руб./шт.
|
||||||||
NXP | MC33879APEK NXP, Интеллектуальные модули, Iс/Io: 600 мА; Конфигурация: High Side or Low Side | - | 600 мА | High Side or Low Side | - | - | Под заказ | 249.68 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
MC33879APEK NXP
Полная карточка товара
MC33879APEK NXP, Интеллектуальные модули, Iс/Io: 600 мА; Конфигурация: High Side or Low Side
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
249.68 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IRAM136-3063B Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers; Корпус: SIP-25; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | Integrated Gate Drivers | SIP-25 | IGBT | Под заказ | 2 505.55 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRAM136-3063B Infineon
Полная карточка товара
IRAM136-3063B Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers; Корпус: SIP-25; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
7 Штук в Пенале
от 1 шт.
2 505.55 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IRSM836-045MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: PQFN 12 x 12; Тип транзистора: MOSFET | 500 В | 4 А | 3 Phase Open Source | PQFN 12 x 12 | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-045MATR Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-045MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: PQFN 12 x 12; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IRAMX16UP60A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 16 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes; Корпус: SIP-23; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 16 А | Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes | SIP-23 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRAMX16UP60A Infineon
Полная карточка товара
IRAMX16UP60A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 16 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes; Корпус: SIP-23; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS15S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 6-PACK | Super mini | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS15S92F6-AG Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS15S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS10S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 6-PACK | Super mini | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS10S92F6-AG Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS10S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS30S71F6 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Mini; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | 6-PACK | Mini | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS30S71F6 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS30S71F6 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Mini; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
9 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IKCM10H60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM10H60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10H60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
14 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS35SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 35 А | 6-PACK | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS35SA2FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS35SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
11 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS50SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 50 А | 6-PACK | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS50SA2FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS50SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS25MC1FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: CIB; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 25 А | CIB | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS25MC1FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS25MC1FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: CIB; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Коробке
|
||||||||
Infineon | IGCM10F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM10F60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM10F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IKCM10L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IKCM10B60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 9.70 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM10B60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10B60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
9.70 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS25SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 25 А | 6-PACK | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS25SA2FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS25SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IRAM256-1567A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | Integrated gate drivers and bootstrap diodes | SIP-29 | IGBT | Под заказ | 1 350.53 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRAM256-1567A Infineon
Полная карточка товара
IRAM256-1567A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 350.53 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IRAM256-2067A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 20 А | Integrated gate drivers and bootstrap diodes | SIP-29 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRAM256-2067A Infineon
Полная карточка товара
IRAM256-2067A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IRSM506-076PA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3-phase inverter including high voltage gate drivers; Корпус: SOP23; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 5 А | 3-phase inverter including high voltage gate drivers | SOP23 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM506-076PA Infineon
Полная карточка товара
IRSM506-076PA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3-phase inverter including high voltage gate drivers; Корпус: SOP23; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IGCM04F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 4 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM04F60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | SLIMDIP-S#550 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 450 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIMDIP; Тип транзистора: IGBT | 450 В | 5 А | 6-PACK | SLIMDIP | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
SLIMDIP-S#550 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
SLIMDIP-S#550 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 450 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIMDIP; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | SLIMDIP-L Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIM; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 6-PACK | SLIM | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
SLIMDIP-L Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
SLIMDIP-L Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIM; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
5 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | SLIMDIP-L Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIM; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 6-PACK | SLIM | IGBT | В наличии | 453.82 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
SLIMDIP-L Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
SLIMDIP-L Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIM; Тип транзистора: IGBT
В наличии 5 Штук
5 Штук в Пенале
от 1 шт.
0 руб./шт.
453.82 руб./шт.
![]() |
||||||||
Mitsubishi Electric | SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 450 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIM; Тип транзистора: IGBT | 450 В | 5 А | 6-PACK | SLIM | IGBT | Под заказ | 562.60 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 450 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: SLIM; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
100 Штук в Пенале
от 1 шт.
562.60 руб./шт.
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS35S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 35 А | 6-PACK | Super mini | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS35S92F6-AG Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS35S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS30S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | 6-PACK | Super mini | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS30S92F6-AG Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS30S92F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Super mini; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IM818MCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Sixpack; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 10 А | Sixpack | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IM818MCCXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IM818MCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Sixpack; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS35MC1FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: CIB; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 35 А | CIB | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS35MC1FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS35MC1FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: CIB; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
5 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IGCM04F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 4 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 990.61 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM04F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
990.61 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IGCM04G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 4 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM04G60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IGCM06F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 6 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 101.18 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM06F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM06F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 101.18 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IGCM06G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 6 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM06G60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM06G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IGCM10F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 583.80 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM10F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM10F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
583.80 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IGCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 176.01 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM15F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 176.01 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IGCM20F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 20 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM20F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM20F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM10H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 184.94 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM10H60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 184.94 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM15H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 272.06 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM15H60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
14 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 272.06 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM15L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM15L60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IKCM15L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 201.69 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM15L60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 201.69 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM30F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 665.17 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM30F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM30F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 665.17 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM20R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 20 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM20R60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM20R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IFCM20T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 650 В | 20 А | 2 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IGCM04G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 4 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM04G60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IGCM06G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 6 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IGCM06G60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM06G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IKCM15R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 2 Phase Switched Reluctance Drives; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 2 Phase Switched Reluctance Drives | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM15R60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 2 Phase Switched Reluctance Drives; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IKCM20L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 20 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM20L60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM20L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IKCM20L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 20 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 742.24 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM20L60HDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM20L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 742.24 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM30F60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 2 016.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM30F60HDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM30F60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
2 016.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IFCM20U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 650 В | 20 А | 3 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM20U65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM20U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IFCM30T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 650 В | 30 А | 2 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM30T65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM30T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IFCM30U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 650 В | 30 А | 3 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM30U65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM30U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IKCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM15F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IKCM15L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IKCM15L60HDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IFCM15S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM15S60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM15S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IFCM15P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 15 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM15P60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM15P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IFCM10S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM10S60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM10S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IFCM10P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 10 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IFCM10P60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM10P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IRSM836-024MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 2 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-024MA Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-024MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
Infineon | IRSM836-044MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 4 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-044MA Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-044MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
Infineon | IRSM836-035MB Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source; Корпус: QFN 12 x 12 27L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 3 А | 3 Phase Common Source | QFN 12 x 12 27L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-035MB Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-035MB Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source; Корпус: QFN 12 x 12 27L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
Infineon | IRSM836-084MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 7 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 7 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-084MA Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-084MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 7 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
Infineon | IRSM807-045MH Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 9 x 8 31L; Тип транзистора: MOSFET | 500 В | 4 А | Half-Bridge | QFN 9 x 8 31L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM807-045MH Infineon
Полная карточка товара
IRSM807-045MH Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 9 x 8 31L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
1300 Штук в Паллете
|
||||||||
Infineon | IRDM982-035MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT | 500 В | 3 А | 3 Phase Common Source + Control | QFN 12 x 12 40L | IGBT | Под заказ | 0.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRDM982-035MBTR Infineon
Полная карточка товара
IRDM982-035MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
от 1 шт.
0.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IRDM983-025MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT | 500 В | 2 А | 3 Phase Common Source + Control | QFN 12 x 12 40L | IGBT | Под заказ | 0.97 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRDM983-025MBTR Infineon
Полная карточка товара
IRDM983-025MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
от 1 шт.
0.97 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | IRSM005-301MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 100 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 7 x 8 27L; Тип транзистора: MOSFET | 100 В | 30 А | Half-Bridge | QFN 7 x 8 27L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM005-301MHTR Infineon
Полная карточка товара
IRSM005-301MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 100 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 7 x 8 27L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Infineon | IRSM836-035MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 3 А | 3 Phase Common Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-035MATR Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-035MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Infineon | IRSM836-015MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 1 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 1 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-015MATR Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-015MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 1 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Infineon | IRSM808-204MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 9 x 8 31L; Тип транзистора: MOSFET | 250 В | 20 А | Half-Bridge | QFN 9 x 8 31L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM808-204MHTR Infineon
Полная карточка товара
IRSM808-204MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 9 x 8 31L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Infineon | IRSM807-105MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 8 x 9 31L; Тип транзистора: MOSFET | 500 В | 10 А | Half-Bridge | QFN 8 x 9 31L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM807-105MHTR Infineon
Полная карточка товара
IRSM807-105MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 8 x 9 31L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Infineon | IRSM808-105MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 8 x 9 31L; Тип транзистора: MOSFET | 500 В | 10 А | Half-Bridge | QFN 8 x 9 31L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM808-105MHTR Infineon
Полная карточка товара
IRSM808-105MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 8 x 9 31L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Infineon | IRSM836-025MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET | 500 В | 2 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRSM836-025MATR Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-025MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS15SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 15 А | 6-PACK | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS15SA2FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS15SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS75SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 75 А | 6-PACK | Large | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS75SA2FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS75SA2FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: Large; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM50RL1C060#300G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 90х50; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 50 А | 7-PACK | 90х50 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM50RL1C060#300G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM50RL1C060#300G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 7-PACK; Корпус: 90х50; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Коробке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PS22A79 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 900 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 79х31; Тип транзистора: IGBT | 900 В | 50 А | 6-PACK | 79х31 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PS22A79 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PS22A79 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 900 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 79х31; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IM818SCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: DIP-24; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 5 А | 3 Phase Common Source + Control | DIP-24 | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IM818SCCXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IM818SCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: DIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM25RG1AP120#300G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 7-PACK | 1200 В | 25 А | 7-PACK | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM25RG1AP120#300G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM25RG1AP120#300G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 7-PACK
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM75RG1B120#300G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 7-PACK | 1200 В | 75 А | 7-PACK | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM75RG1B120#300G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM75RG1B120#300G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 7-PACK
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM75CL1B120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK | 1200 В | 75 А | 6-PACK | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM75CL1B120#350G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM75CL1B120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK
Добавить в избранное
Под заказ
11 Штук в Коробке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS15MC1FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 15 А | 1200 В | 15 А | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS15MC1FT Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS15MC1FT Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 15 А
Добавить в избранное
Под заказ
5 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM150RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 150 А; Конфигурация: 7-PACK | 1200 В | 150 А | 7-PACK | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM150RL1A120#350G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM150RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 150 А; Конфигурация: 7-PACK
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM450CLA120 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 450 А; Конфигурация: 6-PACK | 1200 В | 450 А | 6-PACK | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM450CLA120 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM450CLA120 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 450 А; Конфигурация: 6-PACK
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Коробке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS05S51F6 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А | 600 В | 5 А | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS05S51F6 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS05S51F6 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS50S71F6 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase; Корпус: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90 мм); Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | 3 Phase | 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90 мм) | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS50S71F6 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS50S71F6 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase; Корпус: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90 мм); Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PSS40S93F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 40 А; Конфигурация: 3 phase DC/AC INVERTER; Корпус: 38 мм x 29,4 мм; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 40 А | 3 phase DC/AC INVERTER | 38 мм x 29,4 мм | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PSS40S93F6-AG Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PSS40S93F6-AG Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 40 А; Конфигурация: 3 phase DC/AC INVERTER; Корпус: 38 мм x 29,4 мм; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | IM828XCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: DIP 36 x 23D; Тип транзистора: MOSFET | 1200 В | 35 А | 3 Phase Open Emitter | DIP 36 x 23D | MOSFET | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IM828XCCXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IM828XCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: DIP 36 x 23D; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PS21997-4 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Power Driver Modules; Корпус: DIPIPM; Тип транзистора: IGBT | 600 В | 30 А | Power Driver Modules | DIPIPM | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PS21997-4 Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PS21997-4 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Power Driver Modules; Корпус: DIPIPM; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IM818LCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1.2 кВ; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Inverter; Корпус: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80 мм); Тип транзистора: IGBT | 1.2 кВ | 20 А | 3 Phase Inverter | 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80 мм) | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IM818LCCXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IM818LCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1.2 кВ; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Inverter; Корпус: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80 мм); Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Паллете
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PS22A78-E Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А | 1200 В | 35 А | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PS22A78-E Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PS22A78-E Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Пенале
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM25RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 3 Phase; Тип транзистора: IGBT | 1200 В | 25 А | 3 Phase | - | IGBT | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM25RL1A120#350G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM25RL1A120#350G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 25 А; Конфигурация: 3 Phase; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IRAMY20UP60B Infineon, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IRAMY20UP60B Infineon
Под заказ
7 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | BTN70301EPAXUMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Конфигурация: Half Bridge; Корпус: 14-TSSOP (0.154", 3.90 мм ширина) E x posed Pad | - | - | Half Bridge | 14-TSSOP (0.154", 3.90 мм ширина) E x posed Pad | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
BTN70301EPAXUMA1 Infineon
Полная карточка товара
BTN70301EPAXUMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Конфигурация: Half Bridge; Корпус: 14-TSSOP (0.154", 3.90 мм ширина) E x posed Pad
Добавить в избранное
Под заказ
3000 Штук в Катушке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM200CG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 200 А | 1200 В | 200 А | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM200CG1C120#310G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM200CG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 200 А
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM100CG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 100 А | 1200 В | 100 А | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM100CG1C120#310G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM100CG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 100 А
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM150RG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM150RG1C120#310G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM150RG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули,
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | TLE4209GXUMA2 Infineon, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
TLE4209GXUMA2 Infineon
Под заказ
1 Штука в Катушке
|
||||||||
Mitsubishi Electric | PM100RG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
PM100RG1C120#310G Mitsubishi Electric
Полная карточка товара
PM100RG1C120#310G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули,
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
InventChip Technology Co., Ltd | IV1B12025HC1L InventChip Technology Co., Ltd, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
Интеллектуальные модули
IV1B12025HC1L InventChip Technology Co., Ltd
Полная карточка товара
IV1B12025HC1L InventChip Technology Co., Ltd, Интеллектуальные модули,
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
InventChip Technology Co., Ltd | IV1B12013HA1L InventChip Technology Co., Ltd, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
Интеллектуальные модули
IV1B12013HA1L InventChip Technology Co., Ltd
Полная карточка товара
IV1B12013HA1L InventChip Technology Co., Ltd, Интеллектуальные модули,
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | IM393X6FPXKLA1 Infineon, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
Интеллектуальные модули
IM393X6FPXKLA1 Infineon
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
Monolithic Power Systems | MP5981GLU-Z Monolithic Power Systems, Интеллектуальные модули, | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
Интеллектуальные модули
MP5981GLU-Z Monolithic Power Systems
Полная карточка товара
MP5981GLU-Z Monolithic Power Systems, Интеллектуальные модули,
Добавить в избранное
Под заказ
620 Штук в Ленте
|
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.