Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: DF11MR12W1M1B11BOMA1 Производитель: Infineon OPN: SP001602238
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon
  • Артикул: 00384641
  • Количество в упаковке: 24
  • Стандартная упаковка: Паллета

Спецификация

High current density
Best in class switching and conduction losses
Low inductive design
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT contact technology
RoHS-compliant modules

SiC Mosfet модуль 1200В, 11мОм
Производитель Infineon
Код товара производителя DF11MR12W1M1B11BOMA1
Серия товаров SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры SiC Mosfet модуль
OPN SP001602238
Основные характеристики
V dsm (максимальное напряжение сток-исток) 1200 В
Rds(on) (сопротивление сток-исток) 11 мОм
Конфигурация Booster with NTC
Размеры
Корпус AG-EASY1B-2
Упаковка
Тип упаковки (новый) (стандартная) Паллета
Количество в упаковке 24

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Под заказ
24 Штуки в Паллете

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
SiC Mosfet модуль DF11MR12W1M1B11BOMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента DF11MR12W1M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 11 мОм.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.