Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon
Артикул
Производитель
Спецификация:
SiC Mosfet модуль DF11MR12W1M1B11BOMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента DF11MR12W1M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dss: 1200 В; Rds(on): 11 мОм.
Цена по запросу
Производитель
Серия
Спецификация:
SiC Mosfet модуль DF11MR12W1M1B11BOMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента DF11MR12W1M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dss: 1200 В; Rds(on): 11 мОм.
Основные характеристики
Rds(on)
V dss
Корпус
AG-EASY1B-2
Конфигурация
Booster with NTC
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.