- Артикул: 00345315
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Коробка
FF11MR12W1M1_B11 Infineon
Краткое описание
Спецификация
High current density
Best in class switching and conduction losses
Low inductive design
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT contact technology
RoHS-compliant modules
SiC Mosfet модуль 1200В, 11мОм
Best in class switching and conduction losses
Low inductive design
Integrated NTC temperature sensor
PressFIT contact technology
RoHS-compliant modules
SiC Mosfet модуль 1200В, 11мОм
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF11MR12W1M1_B11
Серия товаров
SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры
SiC Mosfet модуль
OPN
SP001602204
Основные характеристики
V dsm
(максимальное напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление сток-исток)
11 мОм
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
AG-EASY1B-2
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
1
SiC Mosfet модуль FF11MR12W1M1_B11, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF11MR12W1M1_B11: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 11 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF11MR12W1M1_B11: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 11 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.