- Артикул: 00378152
FF3MR12KM1HOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
SiC Mosfet модуль FF3MR12KM1 SP001686348 INF
SiC Mosfet модуль 1200В, 3мОм
SiC Mosfet модуль 1200В, 3мОм
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF3MR12KM1HOSA1
Серия товаров
SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры
SiC Mosfet модуль
OPN
SP001686348
Основные характеристики
V dsm
(максимальное напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление сток-исток)
3 мОм
Серия товаров
SiC MOSFET
Размеры
Корпус
62 мм
SiC Mosfet модуль FF3MR12KM1HOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF3MR12KM1HOSA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 3 МОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF3MR12KM1HOSA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 3 МОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.