- Артикул: 00397557
- Количество в упаковке: 15
- Стандартная упаковка: Паллета
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
SiC Mosfet модуль FF6MR12W2M1_B11 SP001716496 INF
SiC Mosfet модуль 1200В, 6мОм
SiC Mosfet модуль 1200В, 6мОм
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Наименование класса номенклатуры
SiC Mosfet модуль
OPN
SP001716496
Основные характеристики
V dss
(максимальное напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление сток-исток)
6 мОм
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
AG-EASY2B-2
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
15
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
462.21 КБ
SiC Mosfet модуль FF6MR12W2M1B11BOMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF6MR12W2M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 6 МОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF6MR12W2M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 6 МОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.