- Артикул: 00397557
- Количество в упаковке: 15
- Стандартная упаковка: Паллета
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
SiC Mosfet модуль 1200В, 6мОм
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Серия товаров
SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры
SiC Mosfet модуль
OPN
SP001716496
Основные характеристики
V dsm
(максимальное напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление сток-исток)
6 мОм
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
AG-EASY2B-2
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
15
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
462.21 КБ
SiC Mosfet модуль FF6MR12W2M1B11BOMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF6MR12W2M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 6 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF6MR12W2M1B11BOMA1: SiC MOSFET V dsm: 1200 В; Rds(on): 6 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.