Чип индуктивности экранированные
7581 компонент
Фильтры
Сортировать:
Сортировать
для инженера
для менеджера
Групповые действия
CDRH5D28-100NC SUMIDA, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 10 мкГн; I макс.: 1.3 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 5.7 мм; Ширина: 5.7 мм; Высота: 3 мм; Допуск: ±30%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
10 мкГн
Допуск:
±30%
Длина:
5.7 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
CSAB1030A-1R0M Codaca, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 1 мкГн; I макс.: 16 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 11.5 мм; Ширина: 10.3 мм; Высота: 3 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
1 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
11.5 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
FKS7443734938015 FKS, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 1.5 мкГн; I макс.: 9 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 7.3 мм; Ширина: 6.6 мм; Высота: 4.8 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
1.5 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
7.3 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
CDRH125NP-220MC Sumida, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 22 мкГн; I макс.: 3.5 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 12.3 мм; Ширина: 12.3 мм; Высота: 6 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +100°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 1 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
22 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
12.3 мм
Тестовая частота:
1 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
VLS3012HBX-150M TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 15 мкГн; I макс.: 0.95 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 3 мм; Ширина: 3 мм; Высота: 1.2 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +105°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 1 МГц; Экранирование: Полуэкранированные
L ном.:
15 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
3 мм
Тестовая частота:
1 МГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
CSAB0420-3R3M Codaca, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 3.8 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 4.4 мм; Ширина: 4.2 мм; Высота: 2 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
3.3 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
4.4 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
MSRH124-150M Meisongbei, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 15 мкГн; I макс.: 3.8 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 12 мм; Ширина: 12 мм; Высота: 4.5 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
15 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
12 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
MSRB1005-220M Meisongbei, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 22 мкГн; I макс.: 2.8 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 10 мм; Ширина: 10 мм; Высота: 5.4 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
22 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
10 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
PA4339.132NLT PULSE, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 1.3 мкГн; I макс.: 15 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 13.5 мм; Ширина: 12.5 мм; Высота: 5 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
1.3 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
13.5 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
NR6028T100M Taiyo Yuden, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 10 мкГн; I макс.: 1.9 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 6 мм; Ширина: 6 мм; Высота: 2.8 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Полуэкранированные
L ном.:
10 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
6 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
CDRH74NP-680M Sumida, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 68 мкГн; I макс.: 0.76 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 7.3 мм; Ширина: 7.3 мм; Высота: 4.5 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +100°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 1 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
68 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
7.3 мм
Тестовая частота:
1 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
CDRH74NP-470M Sumida, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 47 мкГн; I макс.: 0.95 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 7.3 мм; Ширина: 7.3 мм; Высота: 4.5 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +100°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 1 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
47 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
7.3 мм
Тестовая частота:
1 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IHLP6767DZER4R7M01 Vishay, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 4.7 мкГн; I макс.: 19.5 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 17.15 мм; Ширина: 17.15 мм; Высота: 7 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -55°C до +125°C; Материал: Порошковое железо; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
4.7 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
17.15 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IHLP5050FDER5R6M01 Vishay, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 5.6 мкГн; I макс.: 14.5 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 12.7 мм; Ширина: 12.7 мм; Высота: 6.4 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -55°C до +125°C; Материал: Порошковое железо; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
5.6 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
12.7 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
0624CDMCCDS-R15MC SUMIDA, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 0.15 мкГн; I макс.: 18 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 7.3 мм; Ширина: 6.6 мм; Высота: 2.4 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
0.15 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
7.3 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IHLP1616BZERR47M0H Vishay, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 0.47 мкГн; I макс.: 8.7 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 4.06 мм; Ширина: 4.06 мм; Высота: 2 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -55°C до +125°C; Материал: Порошковое железо; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
0.47 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
4.06 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
0624CDMCCDS-1R0MC SUMIDA, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 1 мкГн; I макс.: 9 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 7.3 мм; Ширина: 6.6 мм; Высота: 2.4 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
1 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
7.3 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IHLP6767GZERR47M01 Vishay, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 0.47 мкГн; I макс.: 75 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 17.15 мм; Ширина: 17.15 мм; Высота: 7 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -55°C до +125°C; Материал: Порошковое железо; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
0.47 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
17.15 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
WIP252012P-4R7ML Inpaq Technology, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 4.7 мкГн; I макс.: 1.5 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 2.5 мм; Ширина: 2 мм; Высота: 1.2 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Металлокомпозитный; Тестовая частота: 1 МГц; Экранирование: Экранированный
L ном.:
4.7 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
2.5 мм
Тестовая частота:
1 МГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
SMNR6045-4R7MT SXN(Shun Xiang Nuo Elec) (chipdip.ru), Чип индуктивности экранированные, L ном.: 4.7 мкГн; I макс.: 3.6 А; Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD); Длина: 6 мм; Ширина: 6 мм; Высота: 4.5 мм; Допуск: ±20%; Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C; Материал: Ферритовый; Тестовая частота: 100 кГц; Экранирование: Полуэкранированные
L ном.:
4.7 мкГн
Допуск:
±20%
Длина:
6 мм
Тестовая частота:
100 кГц
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу