- Артикул: 00444998
- Количество в упаковке: 2000
- Кратность продажи: 50
- Мин. количество к продаже: 50
- Стандартная упаковка: Катушка
MW1210-3R3J Meisongbei
Краткое описание
Код товара у производителя: MW1210-3R3J
Производитель: Meisongbei
Спецификация
Чип индуктивность 1210-MW 3.3 uH J MSB
Производитель
Meisongbei
Код товара производителя
MW1210-3R3J
Серия
MW
Наименование класса номенклатуры
Чип индуктивность
Основные характеристики
Серия
MW
Индуктивность
3.3 мкГн
I max DC
(максимальный постоянный ток)
260 мА
Сопротивление
1.2 Ом
Допустимое отклонение
J (±5%)
Диапазон рабочих температур
-40°C до +85°C
Частота саморезонанса
60 МГц
Материал
феррит
Тестовая частота
7.96 МГц
Тип монтажа
SMD
Экранирование
Неэкранированный
Количество линий
1
Размеры
Высота
2.2 мм
Длина
3.2 мм
Ширина
2.5 мм
Типоразмер
1210
Сертификаты
Сертификаты
RoHS
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2000
Кратность
(продажи)
50
MW1210-3R3J Meisongbei
Аналоги
| TDK | NLV32T-3R3J-PFD TDK, Чип индуктивности экранированные, I макс.: 0.26 А | В наличии | 6.25 руб./шт. |
|
NLV32T-3R3J-PFD TDK
Полная карточка товара
NLV32T-3R3J-PFD TDK, Чип индуктивности экранированные, I макс.: 0.26 А
Добавить в избранное
В наличии 57 600 Штук
2000 Штук в Катушке
от 1 шт.
7.76 руб./шт.
от 2000 шт.
6.25 руб./шт.
|
|||
| TDK | B82422H1332J000 TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 1.15 А | Под заказ | 10.08 руб./шт. |
|
B82422H1332J000 TDK
Полная карточка товара
B82422H1332J000 TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 1.15 А
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
от 1 шт.
17.97 руб./шт.
от 100 шт.
13.33 руб./шт.
от 2000 шт.
11.08 руб./шт.
от 6000 шт.
10.08 руб./шт.
|
|||
| TDK | B82422H1332K000 TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 1150 А | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
B82422H1332K000 TDK
Полная карточка товара
B82422H1332K000 TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 1150 А
Добавить в избранное
Под заказ
350 Штук в Ленте
|
|||
| TDK | B82422A1332K100 TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 0.2 А | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
B82422A1332K100 TDK
Полная карточка товара
B82422A1332K100 TDK, Чип индуктивности экранированные, L ном.: 3.3 мкГн; I макс.: 0.2 А
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Ленте
|
|||
Чип индуктивность MW1210-3R3J, производителя Meisongbei
Ключевые параметры компонента MW1210-3R3J: MW Индуктивность: 3.3 мкГн; I max DC: 260 мА; Сопротивление: 1.2 Ом.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Meisongbei в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента MW1210-3R3J: MW Индуктивность: 3.3 мкГн; I max DC: 260 мА; Сопротивление: 1.2 Ом.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Meisongbei в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.