1200-В и 650-В SiC MOSFET в дискретном исполнении компании Infineon
CoolSiC™ MOSFET компании Infineon созданы на основе современного trench-процесса, оптимизированного как для получения минимальных потерь в различных устройствах, так и для достижения высочайшей надёжности при эксплуатации. Линейка 1200-В и 650-В дискретных CoolSiC™ MOSFET представлена выводными и планарными корпусами с сопротивлением канала от 27 до 350 мОм. Часть TO- и SMD-корпусов имеют вывод Кельвина, что позволяет получить лучшие частотные характеристики.
CoolSiC™ MOSFET в дискретных корпусах идеально подходят как для топологий с жёсткой коммутацией, так и для резонансных топологий, таких как ZVS и LLC, и могут управляться как классические кремниевые IGBT и MOSFET, используя стандартные драйверы затвора. Высокая устойчивость к ложному открыванию, способность работать в режиме короткого замыкания, отличная управляемость по затвору делают CoolSiC™ MOSFET оптимальным выбором для промышленных импульсных источников питания, серверного оборудования, солнечной энергетики, зарядных станций для электромобилей и источников бесперебойного питания.
CoolSiC™ MOSFET содержат быстродействующий антипараллельный диод, чей заряд обратного восстановления в 50…100 раз ниже, чем у современных кремниевых MOSFET. Это существенное преимущество позволяет использовать CoolSiC™ MOSFET в топологиях с жёстким переключением без применения дополнительного быстродействующего внешнего диода. CoolSiC™ MOSFET обладают высочайшей стабильностью параметров при изменении температуры, а также высокой теплопроводностью (такой же, как у меди).
Преимущества:
- Низкая паразитная ёмкость устройства
- Устойчивость параметров при изменении температуры
- Паразитный диод с низким уровнем заряда обратного восстановления
- Устойчивость к ложному открыванию
- Высокая надёжность затворного оксида
- Лучшие в классе статические и динамические характеристики
- Управление, как у IGBT (+15…+18 В)
- Пороговый уровень открывания Vth > 4 В
- Работоспособность в режиме короткого замыкания
Результат:
- Высочайшая эффективность позволяет снизить требования к системе охлаждения
- Более длительный срок службы и высокая надёжность
- Более высокая рабочая частота
- Снижение стоимости всей системы
- Увеличение плотности мощности
- Снижение сложности системы
- Простота разработки и внедрения
Линейка 650-В CoolSiC™ MOSFET
RDS(on) (max) [мОм], 18 В | RDS(on) (typ) [мОм], 18 В | TO-247, 4 вывода | TO-247, 3 вывода |
34 | 27 | IMZA65R027M1H | IMW65R027M1H |
64 | 48 | IMZA65R048M1H | IMW65R048M1H |
94 | 72 | IMZA65R072M1H | IMW65R072M1H |
142 | 107 | IMZA65R107M1H | IMW65R107M1H |
Линейка 1200-В CoolSiC™ MOSFET
RDS(on) [мОм] | TO-247, 3 вывода | TO-247, 4 вывода | D2PAK, 7 выводов |
30 | IMW120R030M1H | IMZ120R030M1H | IMBG120R030M1H |
45 | IMW120R045M1 | IMZ120R045M1 | IMBG120R045M1H |
60 | IMW120R060M1H | IMZ120R060M1H | IMBG120R060M1H |
90 | IMW120R90M1H | IMZ120R090M1H | IMBG120R090M1H |
140 | IMW120R140M1H | IMZ120R140M1H | IMBG120R140M1H |
220 | IMW120R220M1H | IMZ120R220M1H | IMBG120R220M1H |
350 | IMW120R350M1H | IMZ120R350M1H | IMBG120R350M1H |
Подробная информацией о SiC MOSFET Infineon на сайте производителя.
Техническая поддержка: Infineon@symmetron.ru