Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

1200-В и 650-В SiC MOSFET в дискретном исполнении компании Infineon

22 Июля 2020

CoolSiC™ MOSFET компании Infineon созданы на основе современного trench-процесса, оптимизированного как для получения минимальных потерь в различных устройствах, так и для достижения высочайшей надёжности при эксплуатации. Линейка 1200-В и 650-В дискретных CoolSiC™ MOSFET представлена выводными и планарными корпусами с сопротивлением канала от 27 до 350 мОм. Часть TO- и SMD-корпусов имеют вывод Кельвина, что позволяет получить лучшие частотные характеристики.

CoolSiC™ MOSFET в дискретных корпусах идеально подходят как для топологий с жёсткой коммутацией, так и для резонансных топологий, таких как ZVS и LLC, и могут управляться как классические кремниевые IGBT и MOSFET, используя стандартные драйверы затвора. Высокая устойчивость к ложному открыванию, способность работать в режиме короткого замыкания, отличная управляемость по затвору делают CoolSiC™ MOSFET оптимальным выбором для промышленных импульсных источников питания, серверного оборудования, солнечной энергетики, зарядных станций для электромобилей и источников бесперебойного питания.

 

CoolSiC™ MOSFET содержат быстродействующий антипараллельный диод, чей заряд обратного восстановления в 50…100 раз ниже, чем у современных кремниевых MOSFET. Это существенное преимущество позволяет использовать CoolSiC™ MOSFET в топологиях с жёстким переключением без применения дополнительного быстродействующего внешнего диода. CoolSiC™ MOSFET обладают высочайшей стабильностью параметров при изменении температуры, а также высокой теплопроводностью (такой же, как у меди).

Преимущества:

  • Низкая паразитная ёмкость устройства
  • Устойчивость параметров при изменении температуры
  • Паразитный диод с низким уровнем заряда обратного восстановления
  • Устойчивость к ложному открыванию
  • Высокая надёжность затворного оксида
  • Лучшие в классе статические и динамические характеристики
  • Управление, как у IGBT (+15…+18 В)
  • Пороговый уровень открывания Vth > 4 В
  • Работоспособность в режиме короткого замыкания

Результат:

  • Высочайшая эффективность позволяет снизить требования к системе охлаждения
  • Более длительный срок службы и высокая надёжность
  • Более высокая рабочая частота
  • Снижение стоимости всей системы
  • Увеличение плотности мощности
  • Снижение сложности системы
  • Простота разработки и внедрения

Линейка 650-В CoolSiC™ MOSFET

RDS(on) (max) [мОм], 18 В RDS(on) (typ) [мОм], 18 В TO-247, 4 вывода TO-247, 3 вывода
34 27 IMZA65R027M1H IMW65R027M1H
64 48 IMZA65R048M1H IMW65R048M1H
94 72 IMZA65R072M1H IMW65R072M1H
142 107 IMZA65R107M1H IMW65R107M1H

Линейка 1200-В CoolSiC™ MOSFET

RDS(on) [мОм] TO-247, 3 вывода TO-247, 4 вывода D2PAK, 7 выводов
30 IMW120R030M1H IMZ120R030M1H IMBG120R030M1H
45 IMW120R045M1 IMZ120R045M1 IMBG120R045M1H
60 IMW120R060M1H IMZ120R060M1H IMBG120R060M1H
90 IMW120R90M1H IMZ120R090M1H IMBG120R090M1H
140 IMW120R140M1H IMZ120R140M1H IMBG120R140M1H
220 IMW120R220M1H IMZ120R220M1H IMBG120R220M1H
350 IMW120R350M1H IMZ120R350M1H IMBG120R350M1H

Подробная информацией о SiC MOSFET Infineon на сайте производителя.

Техническая поддержка: Infineon@symmetron.ru

Возврат к списку