- Кратность продажи: 1
- Мин. количество к продаже: 1
- Стандартная упаковка: Пенал
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IMW120R220M1HXKSA1
Серия товаров
SiC MOSFET
OPN
SP001946188
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
286 мОм
Q g
(заряд затвора)
8.5 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
13 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247-3
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
Кратность
(продажи)
1
Документация и файлы для загрузки
SiC транзистор IMW120R220M1HXKSA1, производителя Infineon.
Ключевые параметры компонента IMW120R220M1HXKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13А; Корпус: TO-247-3.
Нет в наличии на нашем складе. Запросите "Условия поставки" компонента.
Если вам требуется большее, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMW120R220M1HXKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13А; Корпус: TO-247-3.
Нет в наличии на нашем складе. Запросите "Условия поставки" компонента.
Если вам требуется большее, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.