Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

89 компонентов
Фильтры
все цены на товары указаны с учётом НДС
YJD212060NCTGH SuncoYJ
Корпус:
TO247AB
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
60 мОм
I d:
44.5 А
YJD212060NCTGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB
Корпус:
TO247AB
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
60 мОм
I d:
44.5 А
Все характеристики
В наличии
2 000 шт
от 1 шт
354.72 руб./шт
от 10 шт
339.61 руб./шт
от 100 шт
300 руб./шт
от 1 000 шт
281.50 руб./шт
от 281.50 руб. /шт
RSM120040W Reasunos
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
68 А
RSM120040W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 109 нКл; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
68 А
Все характеристики
В наличии
33 шт
от 1 шт
1 082.04 руб./шт
от 1 082.04 руб. /шт
RSM065030W Reasunos
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
650 В
Rds(on):
30 мОм
I d:
55 А
RSM065030W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 100 нКл; I d: 55 А; Корпус: TO-247-3
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
650 В
Rds(on):
30 мОм
I d:
55 А
Все характеристики
В наличии
28 шт
от 1 шт
852.17 руб./шт
от 852.17 руб. /шт
RSM120080W Reasunos
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
80 мОм
I d:
28 А
RSM120080W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 80 нКл; I d: 28 А; Корпус: TO-247-3
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
80 мОм
I d:
28 А
Все характеристики
В наличии
19 шт
от 1 шт
610.32 руб./шт
от 610.32 руб. /шт
SCD2120120NCTYG3 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd., Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
В наличии
10 шт
от 1 шт
287.60 руб./шт
от 287.60 руб. /шт
DCC025M120G1 WXDH Electronics
Корпус:
TO-247
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
25 мОм
I d:
43 А
DCC025M120G1 WXDH Electronics, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 195 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
25 мОм
I d:
43 А
Все характеристики
В наличии
10 шт
от 1 шт
5 023.87 руб./шт
от 50 шт
4 444.14 руб./шт
от 240 шт
3 864.41 руб./шт
от 3 864.41 руб. /шт
YJD212040NCFGH SuncoYJ
Корпус:
TO-247-4L
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
62 А
YJD212040NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO-247-4L
Корпус:
TO-247-4L
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
62 А
Все характеристики
В наличии
7 шт
от 1 шт
902.58 руб./шт
от 902.58 руб. /шт
YJD217045NCFGH SuncoYJ
Корпус:
TO247-4L
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
45 мОм
I d:
55 А
YJD217045NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; Qrr: 304 нКл; I d: 55 А; Корпус: TO247-4L
Корпус:
TO247-4L
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
45 мОм
I d:
55 А
Все характеристики
В наличии
7 шт
от 1 шт
3 281.26 руб./шт
от 3 281.26 руб. /шт
UF3C065040T3S ON Semiconductor
Корпус:
TO220
V(br)dss:
650 В
Rds(on):
42 мОм
I d:
40 А
UF3C065040T3S ON Semiconductor, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 650 В; Rds(on): 42 мОм; Qrr: 138 нКл; I d: 40 А; Корпус: TO220
Корпус:
TO220
V(br)dss:
650 В
Rds(on):
42 мОм
I d:
40 А
Все характеристики
В наличии
6 шт
от 1 шт
2 138.48 руб./шт
от 2 138.48 руб. /шт
UF4SC120030K4S ON Semiconductor
Корпус:
TO247-4
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
0.039 Ом
I d:
53 А
UF4SC120030K4S ON Semiconductor, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 0.039 Ом; Qrr: 277 нКл; I d: 53 А; Корпус: TO247-4
Корпус:
TO247-4
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
0.039 Ом
I d:
53 А
Все характеристики
В наличии
6 шт
от 1 шт
3 374.74 руб./шт
от 3 374.74 руб. /шт
YJD212040NCTGH SuncoYJ
Корпус:
TO247AB
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
60 мОм
I d:
62 А
YJD212040NCTGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO247AB
Корпус:
TO247AB
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
60 мОм
I d:
62 А
Все характеристики
В наличии
6 шт
от 1 шт
595.98 руб./шт
от 595.98 руб. /шт
YJD212040NCTG2 SuncoYJ
Корпус:
TO247AB
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
66 А
YJD212040NCTG2 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 116 нКл; I d: 66 А; Корпус: TO247AB
Корпус:
TO247AB
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
66 А
Все характеристики
В наличии
6 шт
от 1 шт
749.13 руб./шт
от 749.13 руб. /шт
P3M17040K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Корпус:
TO-247-4
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
73 А
P3M17040K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 77,9 нКл; I d: 73 А; Корпус: TO-247-4
Корпус:
TO-247-4
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
73 А
Все характеристики
В наличии
5 шт
от 1 шт
6 688.06 руб./шт
от 6 688.06 руб. /шт
SCT2280KEC ROHM Semiconductor
Корпус:
TO-247N
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
280 мОм
I d:
14 А
SCT2280KEC ROHM, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 280 мОм; Qrr: 36 нКл; I d: 14 А; Корпус: TO-247N
Корпус:
TO-247N
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
280 мОм
I d:
14 А
Все характеристики
В наличии
5 шт
от 1 шт
852.50 руб./шт
от 852.50 руб. /шт
YJD212040NCFG1 SuncoYJ
Корпус:
TO-247-4L
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
63 А
YJD212040NCFG1 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 120 нКл; I d: 63 А; Корпус: TO-247-4L
Корпус:
TO-247-4L
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
40 мОм
I d:
63 А
Все характеристики
В наличии
5 шт
от 1 шт
860.11 руб./шт
от 860.11 руб. /шт
RSM1701K0W Reasunos
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
1000 мОм
I d:
5 А
RSM1701K0W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 5 А; Корпус: TO-247-3
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
1000 мОм
I d:
5 А
Все характеристики
В наличии
3 шт
от 1 шт
242.43 руб./шт
от 242.43 руб. /шт
P3M12025K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Корпус:
TO-247-4
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
25 мОм
I d:
78 А
P3M12025K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 174 нКл; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4
Корпус:
TO-247-4
V(br)dss:
1200 В
Rds(on):
25 мОм
I d:
78 А
Все характеристики
В наличии
1 шт
от 1 шт
2 009.45 руб./шт
от 2 009.45 руб. /шт
RSM170045W Reasunos
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
45 мОм
I d:
72 А
RSM170045W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; Qrr: 220 нКл; I d: 72 А; Корпус: TO-247-3
Корпус:
TO-247-3
V(br)dss:
1700 В
Rds(on):
45 мОм
I d:
72 А
Все характеристики
В наличии
1 шт
от 1 шт
2 894.67 руб./шт
от 2 894.67 руб. /шт
ASC150N1200MT4 AST Technology, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
Цена по запросу
Нет в наличии
Цена по запросу
Цена по запросу
P3M17025K4S PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
Цена по запросу
Нет в наличии
Цена по запросу
Цена по запросу