| ISG6121TD |
| ISG6122TD |
| G2N65R035TB-H |
| IGLD60R190D1AUMA1 |
| IGLD60R070D1AUMA1 |
| IGO60R070D1AUMA1 |
| IGOT60R035D1 |
| EPC2034 |
| INN100W070A |
| INN650D260A |
| INN650D140A |
| INN040LA015A |
| INN650D080B |
| INN650D150A |
| INN100W027A |
| ISG6109QA |
| IGLT65R025D2 |
| innoscience | 700 В | 54 А | TO-247A-4L | 22 мОм | В наличии | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
ISG6121TD innoscience
Полная карточка товара
ISG6121TD innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 700 В; I к.макс.: 54 А
Добавить в избранное
В наличии 18 Штук
30 Штук в Россыпи
|
||||||
| innoscience | 700 В | 40 А | TO-247A-4L | 30 мОм | В наличии | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
ISG6122TD innoscience
Полная карточка товара
ISG6122TD innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 700 В; I к.макс.: 40 А
Добавить в избранное
В наличии 17 Штук
15 Штук в Россыпи
|
||||||
| Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd. | 650 В | 31.5 А | TO-247-3L | 35 мОм | В наличии | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
G2N65R035TB-H Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd.
Полная карточка товара
G2N65R035TB-H Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd., Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 31.5 А
Добавить в избранное
В наличии 40 Штук
30 Штук в Пенале
|
||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | LSON-8-1 | 190 мОм | Под заказ | 752.67 руб./шт. |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 10 А
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Россыпи
от 1 шт.
782.78 руб./шт.
от 3000 шт.
752.67 руб./шт.
|
||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | LSON-8-1 | 70 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 15 А
Добавить в избранное
Под заказ
5 Штук в Россыпи
|
||||||
| Infineon | 600 В | 31 А | DSO-20-85 | 70 мОм | Под заказ | 1 419.31 руб./шт. |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
IGO60R070D1AUMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGO60R070D1AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 31 А
Добавить в избранное
Под заказ
5 Штук в Россыпи
от 1 шт.
1 476.08 руб./шт.
от 800 шт.
1 419.31 руб./шт.
|
||||||
| Infineon | 600 В | 20 А | DSO-20-87 | 70 мОм | Под заказ | 3 410.91 руб./шт. |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
IGOT60R035D1 Infineon
Полная карточка товара
IGOT60R035D1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 20 А
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Россыпи
от 1 шт.
3 410.91 руб./шт.
|
||||||
| Efficient Power Conversion | 200 В | 48 А | Die Size: 4.6 мм x 2.6 мм | 10 мОм | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
EPC2034 Efficient Power Conversion
Полная карточка товара
EPC2034 Efficient Power Conversion, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 200 В; I к.макс.: 48 А
Добавить в избранное
Под заказ
150 Штук в Ленте
|
||||||
| innoscience | 100 В | 29 А | WLCSP 2.50x1.50 | 7 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN100W070A innoscience
Полная карточка товара
INN100W070A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 100 В; I к.макс.: 29 А
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Ленте
|
||||||
| innoscience | 650 В | 12 А | DFN 5X6 | 260 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN650D260A innoscience
Полная карточка товара
INN650D260A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 12 А
Добавить в избранное
Под заказ
40 Штук в Россыпи
|
||||||
| innoscience | 650 В | 17 А | DFN 8X8 | 140 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN650D140A innoscience
Полная карточка товара
INN650D140A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 17 А
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||
| innoscience | 40 В | 50 А | FCLGA 5mm x 4mm | 1,5 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN040LA015A innoscience
Полная карточка товара
INN040LA015A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 40 В; I к.макс.: 50 А
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Россыпи
|
||||||
| innoscience | 650 В | 29 А | DFN 8X8 | 80 мОм | Под заказ | 1 115.80 руб./шт. |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN650D080B innoscience
Полная карточка товара
INN650D080B innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 29 А
Добавить в избранное
Под заказ
20 Штук в Россыпи
от 1 шт.
1 115.80 руб./шт.
|
||||||
| innoscience | 650 В | 6 А | DFN 8X8 | 350 мОм | Под заказ | 199.03 руб./шт. |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN650D150A innoscience
Полная карточка товара
INN650D150A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 6 А
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Россыпи
от 1 шт.
199.03 руб./шт.
|
||||||
| innoscience | 100 В | 64 А | WLCSP 4.45X2.30 | 2,1 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
INN100W027A innoscience
Полная карточка товара
INN100W027A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 100 В; I к.макс.: 64 А
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Ленте
|
||||||
| innoscience | 700 В | 4 А | QFN6X8-30L | 320 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
ISG6109QA innoscience
Полная карточка товара
ISG6109QA innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 700 В; I к.макс.: 4 А
Добавить в избранное
Под заказ
25 Штук в Россыпи
|
||||||
| Infineon | 650 В | 84 А | PG‑HDSOP‑16 | 30 мОм | Под заказ | - |
|
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
IGLT65R025D2 Infineon
Полная карточка товара
IGLT65R025D2 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 84 А
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.