Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IPD60R600P6BTMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IPD60R600P6BTMA1 Производитель: Infineon OPN: SP001017050
IPD60R600P6BTMA1 Infineon | IPD60R600P6BTMA1 купить на Symmetron.ru, спецификации, схемы IPD60R600P6BTMA1 Infineon
  • Кратность продажи: 1
  • Мин. количество к продаже: 1

Спецификация

Reduced gate charge (Q g)
Higher V th
Good body diode ruggedness
Optimized integrated R g
Improved dv/dt from 50V/ns
CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology
Производитель Infineon
Код товара производителя IPD60R600P6BTMA1
OPN SP001017050
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 600 В
Rds(on) (сопротивление канала) 600 мОм
Q g (заряд затвора) 12 нКл
Тип монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур -55°C~150°C
Размеры
Корпус DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS да
Упаковка
Количество в упаковке 1
Кратность (продажи) 1

Документация и файлы для загрузки


Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт. 8.26 руб./шт.
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор IPD60R600P6BTMA1, производителя Infineon.
Ключевые параметры компонента IPD60R600P6BTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 600 мОм; Q g: 12 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
.

Если вам требуется больше, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.