Интеллектуальные модули
141 компонент
Фильтры
Сортировать:
Сортировать
для инженера
для менеджера
Групповые действия
Vrrm:
600 В
Iс/Io:
5 А
PS21542-G Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А
Vrrm:
600 В
Iс/Io:
5 А
В наличии
9 шт
Информация по наличию
В наличии
9 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 631.48 руб./шт
от 10 шт
1 522.72 руб./шт
от 25 шт
1 468.33 руб./шт
В наличии
9 шт
от 1 шт
1 631.48 руб./шт
от 10 шт
1 522.72 руб./шт
от 25 шт
1 468.33 руб./шт
от 1 468.33 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1 468.33 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 25 шт
1 468.33 руб. /шт
от 10 шт
1 522.72 руб. /шт
от 1 шт
1 631.48 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Конфигурация:
6-PACK
Корпус:
120 x 50
Тип транзистора:
IGBT
PM100CS1D060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 100 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 50; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
6-PACK
Корпус:
120 x 50
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
В наличии
3 шт
Информация по наличию
В наличии
3 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
6 395.45 руб./шт
9 231.08 руб./шт
от 25 шт
7 040.74 руб./шт
от 10 шт
7 561.91 руб./шт
В наличии
3 шт
от 1 шт
6 395.45 руб./шт
9 231.08 руб./шт
от 25 шт
7 040.74 руб./шт
от 10 шт
7 561.91 руб./шт
от 6 395.45 руб.
руб./шт
руб.
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 6 395.45 руб.руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
6 395.45 руб. /шт
9 231.08 руб. /шт
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 25 шт
7 040.74 руб. /шт
от 10 шт
7 561.91 руб. /шт
от 1 шт
9 231.08 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Конфигурация:
6-PACK
Корпус:
120 x 55
Тип транзистора:
IGBT
PM75CL1B060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 75 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
6-PACK
Корпус:
120 x 55
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
В наличии
2 шт
Информация по наличию
В наличии
2 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
10 133.31 руб./шт
от 10 шт
9 462.58 руб./шт
В наличии
2 шт
от 1 шт
10 133.31 руб./шт
от 10 шт
9 462.58 руб./шт
от 9 462.58 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 9 462.58 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 10 шт
9 462.58 руб. /шт
от 1 шт
10 133.31 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Конфигурация:
6-PACK
Корпус:
120 x 55
Тип транзистора:
IGBT
PM50CL1B060 Mitsubishi Electric, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 50 А; Конфигурация: 6-PACK; Корпус: 120 x 55; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
6-PACK
Корпус:
120 x 55
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
В наличии
1 шт
Информация по наличию
В наличии
1 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
8 112.09 руб./шт
от 10 шт
7 570.08 руб./шт
от 25 шт
7 028.97 руб./шт
В наличии
1 шт
от 1 шт
8 112.09 руб./шт
от 10 шт
7 570.08 руб./шт
от 25 шт
7 028.97 руб./шт
от 7 028.97 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 7 028.97 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 25 шт
7 028.97 руб. /шт
от 10 шт
7 570.08 руб. /шт
от 1 шт
8 112.09 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Наименование товара у производителя:
IKCM10L60HA
IKCM10L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули,
Наименование товара у производителя:
IKCM10L60HA
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Наименование товара у производителя:
IM393-X6FP
IM393X6FPXKLA1 Infineon, Интеллектуальные модули,
Наименование товара у производителя:
IM393-X6FP
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Наименование товара у производителя:
TLE4209G
TLE4209GXUMA2 Infineon, Интеллектуальные модули,
Наименование товара у производителя:
TLE4209G
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
Half Bridge
Корпус:
14-TSSOP (0.154", 3.90 мм ширина) E x posed Pad
Наименование товара у производителя:
BTN7030-1EPA
BTN70301EPAXUMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Конфигурация: Half Bridge; Корпус: 14-TSSOP (0.154", 3.90 мм ширина) E x posed Pad
Конфигурация:
Half Bridge
Корпус:
14-TSSOP (0.154", 3.90 мм ширина) E x posed Pad
Наименование товара у производителя:
BTN7030-1EPA
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IRAMY20UP60B Infineon, Интеллектуальные модули,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
3 Phase Inverter
Корпус:
24-PowerDIP Module (1.094", 27.80 мм)
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
1.2 кВ
IM818LCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1.2 кВ; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Inverter; Корпус: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80 мм); Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
3 Phase Inverter
Корпус:
24-PowerDIP Module (1.094", 27.80 мм)
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
1.2 кВ
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
3 Phase Open Emitter
Корпус:
DIP 36 x 23D
Тип транзистора:
MOSFET
Vrrm:
1200 В
Iс/Io:
35 А
Наименование товара у производителя:
IM828-XCC
Документация
IM828XCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 35 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: DIP 36 x 23D; Тип транзистора: MOSFET
Конфигурация:
3 Phase Open Emitter
Корпус:
DIP 36 x 23D
Тип транзистора:
MOSFET
Vrrm:
1200 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
3-phase inverter including high voltage gate drivers
Корпус:
SOP23
Тип транзистора:
IGBT
IRSM506-076PA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3-phase inverter including high voltage gate drivers; Корпус: SOP23; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
3-phase inverter including high voltage gate drivers
Корпус:
SOP23
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
Integrated gate drivers and bootstrap diodes
Корпус:
SIP-29
Тип транзистора:
IGBT
IRAM256-2067A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
Integrated gate drivers and bootstrap diodes
Корпус:
SIP-29
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
Integrated gate drivers and bootstrap diodes
Корпус:
SIP-29
Тип транзистора:
IGBT
IRAM256-1567A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
Integrated gate drivers and bootstrap diodes
Корпус:
SIP-29
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 240.92 руб./шт
от 1 шт
1 240.92 руб./шт
от 1 240.92 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1 240.92 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 240.92 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Конфигурация:
Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes
Корпус:
SIP-23
Тип транзистора:
IGBT
IRAMX16UP60A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 16 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes; Корпус: SIP-23; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes
Корпус:
SIP-23
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
3 Phase Open Source
Корпус:
PQFN 12 x 12
Тип транзистора:
MOSFET
IRSM836-045MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: PQFN 12 x 12; Тип транзистора: MOSFET
Конфигурация:
3 Phase Open Source
Корпус:
PQFN 12 x 12
Тип транзистора:
MOSFET
Vrrm:
500 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
Integrated Gate Drivers
Корпус:
SIP-25
Тип транзистора:
IGBT
IRAM136-3063B Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers; Корпус: SIP-25; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
Integrated Gate Drivers
Корпус:
SIP-25
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
2 302.20 руб./шт
от 1 шт
2 302.20 руб./шт
от 2 302.20 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 2 302.20 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
2 302.20 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Конфигурация:
3 Phase Common Source + Control
Корпус:
DIP-24
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
1200 В
IM818SCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: DIP-24; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
3 Phase Common Source + Control
Корпус:
DIP-24
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
1200 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
3 Phase Open Emitter
Корпус:
PG-MDIP-24
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
IKCM20L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Конфигурация:
3 Phase Open Emitter
Корпус:
PG-MDIP-24
Тип транзистора:
IGBT
Vrrm:
600 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Конфигурация:
3 Phase Open Source
Корпус:
QFN 12 x 12 36L
Тип транзистора:
MOSFET
IRSM836-025MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Конфигурация:
3 Phase Open Source
Корпус:
QFN 12 x 12 36L
Тип транзистора:
MOSFET
Vrrm:
500 В
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
