Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы
19 компонентов
Фильтры
Сортировать:
Сортировать
для инженера
для менеджера
Групповые действия
RDS(On):
35 мОм
Заряд затвора:
38 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
31.5 А
G2N65R035TB-H Zhuhai Ganext Technology Co., Ltd., Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 31.5 А
RDS(On):
35 мОм
Заряд затвора:
38 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
31.5 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
22 мОм
Vds:
700 В
I к.макс.:
54 А
ISG6121TD innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 700 В; I к.макс.: 54 А
RDS(On):
22 мОм
Vds:
700 В
I к.макс.:
54 А
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
30 мОм
Vds:
700 В
I к.макс.:
40 А
ISG6122TD innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 700 В; I к.макс.: 40 А
RDS(On):
30 мОм
Vds:
700 В
I к.макс.:
40 А
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IGLT65R035D2ATMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
10 мОм
Заряд затвора:
11 нКл
Vds:
200 В
I к.макс.:
48 А
EPC2034 Efficient Power Conversion, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 200 В; I к.макс.: 48 А
RDS(On):
10 мОм
Заряд затвора:
11 нКл
Vds:
200 В
I к.макс.:
48 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IGLT65R025D2AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
30 мОм
Заряд затвора:
11 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
84 А
IGLT65R025D2 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 84 А
RDS(On):
30 мОм
Заряд затвора:
11 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
84 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
70 мОм
Заряд затвора:
5,8 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
20 А
IGOT60R035D1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 20 А
RDS(On):
70 мОм
Заряд затвора:
5,8 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
20 А
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
3 339.03 руб./шт
от 1 шт
3 339.03 руб./шт
от 3 339.03 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 3 339.03 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
3 339.03 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
RDS(On):
70 мОм
Заряд затвора:
5,8 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
31 А
IGO60R070D1AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 31 А
RDS(On):
70 мОм
Заряд затвора:
5,8 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
31 А
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 444.97 руб./шт
от 800 шт
1 389.40 руб./шт
от 1 шт
1 444.97 руб./шт
от 800 шт
1 389.40 руб./шт
от 1 389.40 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1 389.40 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 800 шт
1 389.40 руб. /шт
от 1 шт
1 444.97 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
RDS(On):
70 мОм
Заряд затвора:
5,8 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
15 А
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 15 А
RDS(On):
70 мОм
Заряд затвора:
5,8 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
15 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
190 мОм
Заряд затвора:
3,2 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
10 А
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 600 В; I к.макс.: 10 А
RDS(On):
190 мОм
Заряд затвора:
3,2 нКл
Vds:
600 В
I к.макс.:
10 А
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
766.28 руб./шт
от 3 000 шт
736.81 руб./шт
от 1 шт
766.28 руб./шт
от 3 000 шт
736.81 руб./шт
от 736.81 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 736.81 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 3 000 шт
736.81 руб. /шт
от 1 шт
766.28 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
RDS(On):
320 мОм
Vds:
700 В
I к.макс.:
4 А
ISG6109QA innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 700 В; I к.макс.: 4 А
RDS(On):
320 мОм
Vds:
700 В
I к.макс.:
4 А
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
2,1 мОм
Заряд затвора:
13 нКл
Vds:
100 В
I к.макс.:
64 А
INN100W027A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 100 В; I к.макс.: 64 А
RDS(On):
2,1 мОм
Заряд затвора:
13 нКл
Vds:
100 В
I к.макс.:
64 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
350 мОм
Заряд затвора:
1,5 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
6 А
INN650D150A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 6 А
RDS(On):
350 мОм
Заряд затвора:
1,5 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
6 А
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
193.09 руб./шт
от 1 шт
193.09 руб./шт
от 193.09 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 193.09 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
193.09 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
RDS(On):
80 мОм
Заряд затвора:
6,2 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
29 А
INN650D080B innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 29 А
RDS(On):
80 мОм
Заряд затвора:
6,2 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
29 А
Все характеристики
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 082.48 руб./шт
от 1 шт
1 082.48 руб./шт
от 1 082.48 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1 082.48 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 082.48 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
RDS(On):
1,5 мОм
Заряд затвора:
30 нКл
Vds:
40 В
I к.макс.:
50 А
INN040LA015A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 40 В; I к.макс.: 50 А
RDS(On):
1,5 мОм
Заряд затвора:
30 нКл
Vds:
40 В
I к.макс.:
50 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
140 мОм
Заряд затвора:
3,5 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
17 А
INN650D140A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 17 А
RDS(On):
140 мОм
Заряд затвора:
3,5 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
17 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
260 мОм
Заряд затвора:
2 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
12 А
INN650D260A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 650 В; I к.макс.: 12 А
RDS(On):
260 мОм
Заряд затвора:
2 нКл
Vds:
650 В
I к.макс.:
12 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RDS(On):
7 мОм
Заряд затвора:
4,5 нКл
Vds:
100 В
I к.макс.:
29 А
INN100W070A innoscience, Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы, Vds: 100 В; I к.макс.: 29 А
RDS(On):
7 мОм
Заряд затвора:
4,5 нКл
Vds:
100 В
I к.макс.:
29 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
