Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина

IGBT транзисторы силовые

452 компонента
Фильтры
все цены на товары указаны с учётом НДС
DHG40N120D WXDH Electronics
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
40 А
Типоразмер:
TO-247
DHG40N120D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
622 шт
от 1 шт
225.02 руб./шт
от 50 шт
198.45 руб./шт
от 240 шт
172.70 руб./шт
от 172.70 руб. /шт
NCE40H32LL NCEPOWER
Корпус:
TOLL
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
40 В
I c:
320 А
Типоразмер:
TOLL
Напряжение:
1.6 В
NCE40H32LL NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 40 В; I c: 320 А; Корпус: TOLL
Корпус:
TOLL
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
40 В
I c:
320 А
Все характеристики
В наличии
26 шт
от 1 шт
181.84 руб./шт
от 181.84 руб. /шт
DGQ160N65CTS2A SuncoYJ
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.55 В
I c:
160 А
Типоразмер:
TO-247
DGQ160N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 160 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.55 В
I c:
160 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
от 1 шт
1 162.94 руб./шт
от 1 162.94 руб. /шт
DGQ140N120CTH1G SuncoYJ
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.75 В
I c:
140 А
Типоразмер:
TO-247
DGQ140N120CTH1G SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 140 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.75 В
I c:
140 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
от 1 шт
1 020.66 руб./шт
от 1 020.66 руб. /шт
DGQ120N65CTH1G SuncoYJ
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.65 В
I c:
120 А
Типоразмер:
TO-247
DGQ120N65CTH1G SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 120 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.65 В
I c:
120 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
от 1 шт
972.16 руб./шт
от 972.16 руб. /шт
DGQ100N65CTS1D SuncoYJ
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.35 В
I c:
100 А
Типоразмер:
TO-247
DGQ100N65CTS1D SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 100 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.35 В
I c:
100 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
от 1 шт
846.66 руб./шт
от 846.66 руб. /шт
RSG40N120QHW Reasunos, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Нет в наличии
Цена по запросу
Цена по запросу
RSG25N120QHW Reasunos, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Нет в наличии
Цена по запросу
Цена по запросу
NCE40TD65BT NCEPOWER
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
40 А
Типоразмер:
TO-247
NCE40TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
17 шт
от 1 шт
286.29 руб./шт
от 286.29 руб. /шт
DGC25H120F6 WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Нет в наличии
Цена по запросу
Цена по запросу
NCE80TD65BT NCEPOWER
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
I c:
80 А
Типоразмер:
TO-247
NCE80TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 80 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
I c:
80 А
Все характеристики
В наличии
13 шт
от 1 шт
465.81 руб./шт
от 465.81 руб. /шт
NCE40TD120LT NCEPOWER
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6.5 В
I c:
40 А
Типоразмер:
TO-247
Документация
NCE40TD120LT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6.5 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
10 шт
от 1 шт
290.27 руб./шт
от 290.27 руб. /шт
NCE60TD65BT NCEPOWER
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.8 В
I c:
60 А
Типоразмер:
TO-247
NCE60TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 60 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.8 В
I c:
60 А
Все характеристики
В наличии
7 шт
от 1 шт
372.89 руб./шт
от 372.89 руб. /шт
NCE40TD120VT NCEPOWER
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
I c:
40 А
Типоразмер:
TO-247
NCE40TD120VT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
2 шт
от 1 шт
463.23 руб./шт
от 463.23 руб. /шт
AUIRGPS4067D1 Infineon
Корпус:
Super 247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
160 А
Типоразмер:
TO-274AA
AUIRGPS4067D1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 600 В; I c: 160 А; Корпус: Super 247
Корпус:
Super 247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
160 А
Все характеристики
Нет в наличии
от 1 шт
2 725.35 руб./шт
от 2 725.35 руб. /шт
VS-GA250SA60S Vishay
Корпус:
SOT-227
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.1 В
I c:
250 А
Типоразмер:
SOT-227-4
VS-GA250SA60S Vishay, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 600 В; I c: 250 А; Корпус: SOT-227
Корпус:
SOT-227
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.1 В
I c:
250 А
Все характеристики
Нет в наличии
от 1 шт
2 877.83 руб./шт
от 80 шт
2 369.98 руб./шт
от 160 шт
2 073.73 руб./шт
от 2 073.73 руб. /шт
IRGPS60B120KDP Infineon
Корпус:
Super 247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.1 В
I c:
60 А
Типоразмер:
Super 247
Документация
IRGPS60B120KDP Infineon, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 60 А; Корпус: Super 247
Корпус:
Super 247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.1 В
I c:
60 А
Все характеристики
Нет в наличии
от 1 шт
1 335.23 руб./шт
от 1 335.23 руб. /шт
IRGPS46160DPBF Infineon
Корпус:
Super 247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.4 В
I c:
160 А
Типоразмер:
TO-274AA
IRGPS46160DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 600 В; I c: 160 А; Корпус: Super 247
Корпус:
Super 247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.4 В
I c:
160 А
Все характеристики
Нет в наличии
от 1 шт
1 023.19 руб./шт
от 25 шт
1 023.19 руб./шт
от 400 шт
983.84 руб./шт
от 983.84 руб. /шт
IRG7PH46UD-EP Infineon
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
3.1 В
Документация
IRG7PH46UD-EP Infineon, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 57 А; Корпус: TO-247AC
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
3.1 В
I c:
57 А
Все характеристики
Нет в наличии
от 1 шт
964 руб./шт
от 964 руб. /шт
SP001536518 Infineon
Корпус:
SUPER247COPAK
Типоразмер:
SUPER247COPAK
SP001536518 Infineon, IGBT транзисторы силовые, Корпус: SUPER247COPAK
Корпус:
SUPER247COPAK
Типоразмер:
SUPER247COPAK
Нет в наличии
от 1 шт
950.21 руб./шт
от 950.21 руб. /шт