Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

93 компонента
Фильтры
все цены на товары указаны с учётом НДС
Характеристики отсутствуют
1200 В
60 мОм
129 нКл
44.5 А
TO247AB
-55°C~175°C
2 000 шт
311.09 руб.
YJD212060NCTGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB
Все характеристики
кратность
от 311.09 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
40 мОм
109 нКл
68 А
TO-247-3
-55°C~175°C
33 шт
1181.67 руб.
RSM120040W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3
Все характеристики
кратность
от 1 181.67 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
650 В
30 мОм
100 нКл
55 А
TO-247-3
-55°C~175°C
28 шт
930.63 руб.
RSM065030W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; I d: 55 А; Корпус: TO-247-3
Все характеристики
кратность
от 930.63 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
80 мОм
80 нКл
28 А
TO-247-3
-55°C~175°C
19 шт
666.51 руб.
RSM120080W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; I d: 28 А; Корпус: TO-247-3
Все характеристики
кратность
от 666.51 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
10 шт
317.82 руб.
SCD2120120NCTYG3 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd., Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
Все характеристики
кратность
от 317.82 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
25 мОм
195 нКл
43 А
TO-247
-55°C~175°C
10 шт
4220.21 руб.
DCC025M120G1 WXDH Electronics, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; I d: 43 А; Корпус: TO-247
Все характеристики
кратность
от 4 220.21 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
40 мОм
229 нКл
62 А
TO-247-4L
-55°C~175°C
7 шт
997.41 руб.
YJD212040NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 62 А; Корпус: TO-247-4L
Все характеристики
кратность
от 997.41 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1700 В
45 мОм
304 нКл
55 А
TO247-4L
-55°C~175°C
7 шт
3626.01 руб.
YJD217045NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; I d: 55 А; Корпус: TO247-4L
Все характеристики
кратность
от 3 626.01 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
650 В
42 мОм
138 нКл
40 А
TO220
-55 °C ... 175 °C
6 шт
2335.37 руб.
UF3C065040T3S ON Semiconductor, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 650 В; Rds(on): 42 мОм; I d: 40 А; Корпус: TO220
Все характеристики
кратность
от 2 335.37 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
0.039 Ом
277 нКл
53 А
TO247-4
-55 °C ... 175 °C
Through Hole
6 шт
3685.46 руб.
UF4SC120030K4S ON Semiconductor, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 0.039 Ом; I d: 53 А; Корпус: TO247-4
Все характеристики
кратность
от 3 685.46 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
60 мОм
229 нКл
62 А
TO247AB
-55°C~175°C
6 шт
658.59 руб.
YJD212040NCTGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 62 А; Корпус: TO247AB
Все характеристики
кратность
от 658.59 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
40 мОм
116 нКл
66 А
TO247AB
-55°C~175°C
6 шт
827.83 руб.
YJD212040NCTG2 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 66 А; Корпус: TO247AB
Все характеристики
кратность
от 827.83 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1700 В
40 мОм
77,9 нКл
73 А
TO-247-4
-55°C~175°C
5 шт
7390.75 руб.
P3M17040K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 73 А; Корпус: TO-247-4
Все характеристики
кратность
от 7 390.75 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
280 мОм
36 нКл
14 А
TO-247N
175°С
5 шт
953.60 руб.
SCT2280KEC ROHM, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 280 мОм; I d: 14 А; Корпус: TO-247N
Все характеристики
кратность
от 953.60 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
40 мОм
120 нКл
63 А
TO-247-4L
-55°C~175°C
5 шт
939.30 руб.
YJD212040NCFG1 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 63 А; Корпус: TO-247-4L
Все характеристики
кратность
от 939.30 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1700 В
1000 мОм
15 нКл
5 А
TO-247-3
-55°C~175°C
3 шт
264.74 руб.
RSM1701K0W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; I d: 5 А; Корпус: TO-247-3
Все характеристики
кратность
от 264.74 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1200 В
25 мОм
174 нКл
78 А
TO-247-4
-55°C~175°C
1 шт
2220.57 руб.
P3M12025K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4
Все характеристики
кратность
от 2 220.57 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
1700 В
45 мОм
220 нКл
72 А
TO-247-3
-55°C~175°C
1 шт
3161.19 руб.
RSM170045W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; I d: 72 А; Корпус: TO-247-3
Все характеристики
кратность
от 3 161.19 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
0 шт
Цена по запросу
ASC150N1200MT4 AST Technology, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
Все характеристики
Цена по запросу
Характеристики отсутствуют
0 шт
Цена по запросу
P3M17025K4S PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
Все характеристики
Цена по запросу
примен.

Функционал не доступен

Данный функционал доступен только на устройствах с шириной экрана 1024px и выше.