Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IKW20N60H3FKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IKW20N60H3FKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP000702556
IKW20N60H3FKSA1 Infineon
  • Артикул: 00279603
  • Количество в упаковке: 1
  • Кратность продажи: 1
  • Мин. количество к продаже: 1

Спецификация

Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Производитель Infineon
Код товара производителя IKW20N60H3FKSA1
OPN SP000702556
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 600 В
V CE(on) (напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора) 1.65 В
Диапазон рабочих температур -40°C~175°C
Размеры
Корпус TO-247AC
Сертификаты
Соответствие ROHS да
Упаковка
Количество в упаковке 1
Кратность (продажи) 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

В наличии 142 Штуки
Поштучная продажа
от 1 шт. 128.30 руб./шт.
от 240 шт. 123.37 руб./шт.
- +
1
128.30 руб.
Добавить в корзину
IGBT транзистор IKW20N60H3FKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW20N60H3FKSA1: V ce: 600 В; I c: 20 А; f раб.: 20~100кГц; V CE(on): 1.65 В; Корпус: TO-247AC.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.