Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IMBG120R350M1H Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IMBG120R350M1H Производитель: Infineon
IMBG120R350M1H Infineon | IMBG120R350M1H купить на Symmetron.ru, спецификации, схемы IMBG120R350M1H Infineon
  • Кратность продажи: 1
  • Мин. количество к продаже: 1

Спецификация

Производитель Infineon
Код товара производителя IMBG120R350M1H
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 1.2 кВ
Rds(on) (сопротивление канала) 468 мОм
Q g (заряд затвора) 5.9 нКл
I d (ток стока при 25°C) 4.7 А
Диапазон рабочих температур -55°C~175°C
Тип монтажа Surface Mount
Размеры
Корпус TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка
Количество в упаковке 20
Кратность (продажи) 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Даташиты


Нет в наличии
Поштучная продажа
Запросить условия поставки
SiC транзистор IMBG120R350M1H, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IMBG120R350M1H: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 468 мОм; Q g: 5.9 нКл ; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA.


Если вам требуется больше, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.