- Кратность продажи: 1
- Мин. количество к продаже: 1
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
650 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
48 мОм
Q g
(заряд затвора)
33 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
24 А
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Количество в упаковке
10
Кратность
(продажи)
1
Документация и файлы для загрузки
SiC транзистор IMW65R048M1HXKSA1, производителя Infineon.
Ключевые параметры компонента IMW65R048M1HXKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24А; Корпус: TO-247AC.
Нет в наличии на нашем складе. Запросите "Условия поставки" компонента.
Если вам требуется большее, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMW65R048M1HXKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24А; Корпус: TO-247AC.
Нет в наличии на нашем складе. Запросите "Условия поставки" компонента.
Если вам требуется большее, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.